R6030ENZ1C9

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	R6030ENZ1C9
მწარმოებელი:	ROHM Semiconductor
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
მონაცემთა ცხრილები:	R6030ENZ1C9 მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: ROHM Semiconductor R6030ENZ1C9 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	-
პაკეტი	Tube
ნაწილის სტატუსი	Obsolete
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	600 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	10V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	4V @ 1mA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (მაქს)	±20V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	2100 pF @ 25 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	120W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	TO-247
პაკეტი / კორპუსი	TO-247-3

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 93

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.