Rectron USA / RM002N30DF
სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
RM002N30DF
| მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | RM002N30DF |
| მწარმოებელი: | Rectron USA |
| აღწერა ნაწილი: | MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN |
| ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
| მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
| გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
| გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- შენიშვნა
- Rectron USA RM002N30DF ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.
Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.
სპეციფიკაცია
| ტიპი | აღწერა |
|---|---|
| სერიები | - |
| პაკეტი | Tape & Reel (TR) |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss) | 30 V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 4.5V, 10V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
| Vgs (მაქს) | ±20V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 4345 pF @ 15 V |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 187W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-DFN (5x6) |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerVDFN |
საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს
Მინიმალური: 1
| რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
|---|---|---|
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
||
ტვირთის გაანგარიშება
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება
პოპულარული მოდელები
 |
Rectron USA |
დამატებულია კალათაში!
ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.