SCTH90N65G2V-7

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	SCTH90N65G2V-7
მწარმოებელი:	STMicroelectronics
აღწერა ნაწილი:	SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	-
პაკეტი	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	SiCFET (Silicon Carbide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	650 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	18V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	26mOhm @ 50A, 18V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	5V @ 1mA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (მაქს)	+22V, -10V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	3300 pF @ 400 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	330W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	H2PAK-7
პაკეტი / კორპუსი	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 873

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics
	SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics
	SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics
	SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics
	SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics
	SCTH50N120-7 STMicroelectronics

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.