SIHD12N50E-GE3

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	SIHD12N50E-GE3
მწარმოებელი:	Vishay / Siliconix
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
მონაცემთა ცხრილები:	SIHD12N50E-GE3 მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Vishay / Siliconix SIHD12N50E-GE3 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	E
პაკეტი	Tube
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	550 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	10V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	4V @ 250µA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (მაქს)	±30V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	886 pF @ 100 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	114W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 150°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	D-PAK (TO-252AA)
პაკეტი / კორპუსი	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 2153

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.