TPW4R50ANH,L1Q

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	TPW4R50ANH,L1Q
მწარმოებელი:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
მონაცემთა ცხრილები:	TPW4R50ANH,L1Q მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPW4R50ANH,L1Q ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	U-MOSVIII-H
პაკეტი	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	100 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	92A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	10V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 46A, 10V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	4V @ 1mA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (მაქს)	±20V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	5200 pF @ 50 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	800mW (Ta), 142W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	8-DSOP Advance
პაკეტი / კორპუსი	8-PowerVDFN

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 27892

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPW4R008NH,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.