SIS407DN-T1-GE3

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	SIS407DN-T1-GE3
მწარმოებელი:	Vishay / Siliconix
აღწერა ნაწილი:	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
მონაცემთა ცხრილები:	SIS407DN-T1-GE3 მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Vishay / Siliconix SIS407DN-T1-GE3 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	TrenchFET®
პაკეტი	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	P-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	20 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	1.8V, 4.5V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	1V @ 250µA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	93.8 nC @ 8 V
Vgs (მაქს)	±8V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	2760 pF @ 10 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	3.6W (Ta), 33W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / კორპუსი	PowerPAK® 1212-8

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 23879

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.