FQI7N80TU

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	FQI7N80TU
მწარმოებელი:	Rochester Electronics
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
მონაცემთა ცხრილები:	FQI7N80TU მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Rochester Electronics FQI7N80TU ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	QFET®
პაკეტი	Bulk
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	800 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	6.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	10V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	5V @ 250µA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (მაქს)	±30V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	1.85 pF @ 25 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	3.13W (Ta), 167W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	I2PAK (TO-262)
პაკეტი / კორპუსი	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 388

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	FQI7N10TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI7N80TU Rochester Electronics
	FQI7P06TU Rochester Electronics
	FQI7N10LTU Rochester Electronics
	FQI7N60TU Rochester Electronics

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.