სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | SIHH11N60E-T1-GE3 |
მწარმოებელი: | Vishay / Siliconix |
აღწერა ნაწილი: | MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8 |
მონაცემთა ცხრილები: | SIHH11N60E-T1-GE3 მონაცემთა ცხრილები |
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
ტიპი | აღწერა |
---|---|
სერიები | - |
პაკეტი | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
ნაწილის სტატუსი | Active |
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss) | 600 V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 339mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
Vgs (მაქს) | ±30V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1076 pF @ 100 V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 114W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | PowerPAK® 8 x 8 |
პაკეტი / კორპუსი | 8-PowerTDFN |
საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს
Მინიმალური: 1
რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
---|---|---|
![]() ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება