სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | DMN2320UFB4-7B |
მწარმოებელი: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
აღწერა ნაწილი: | MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 |
მონაცემთა ცხრილები: | DMN2320UFB4-7B მონაცემთა ცხრილები |
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
ტიპი | აღწერა |
---|---|
სერიები | - |
პაკეტი | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
ნაწილის სტატუსი | Active |
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss) | 20 V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 1.8V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 950mV @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V |
Vgs (მაქს) | ±8V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 71 pF @ 10 V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 520mW (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | X2-DFN1006-3 |
პაკეტი / კორპუსი | 3-XFDFN |
საფონდო სტატუსი: 5312
Მინიმალური: 1
რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
---|---|---|
![]() ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება