HTNFET-D

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	HTNFET-D
მწარმოებელი:	Honeywell Aerospace
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 55V 8CDIP
მონაცემთა ცხრილები:	HTNFET-D მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Honeywell Aerospace HTNFET-D ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	HTMOS™
პაკეტი	Bulk
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	55 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	-
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	5V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	2.4V @ 100µA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	4.3 nC @ 5 V
Vgs (მაქს)	10V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	290 pF @ 28 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	50W (Tj)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 225°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	8-CDIP-EP
პაკეტი / კორპუსი	8-CDIP Exposed Pad

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	HTNFET-T Honeywell Aerospace
	HTNFET-D Honeywell Aerospace
	HTNFET-DC Honeywell Aerospace
	HTNFET-TC Honeywell Aerospace

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.