Microsemi / 2N6796
სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
2N6796
| მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | 2N6796 |
| მწარმოებელი: | Microsemi |
| აღწერა ნაწილი: | MOSFET N-CH 100V 8A TO39 |
| ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
| მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
| გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
| გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- შენიშვნა
- Microsemi 2N6796 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.
Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.
სპეციფიკაცია
| ტიპი | აღწერა |
|---|---|
| სერიები | - |
| პაკეტი | Bulk |
| ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
| FET ტიპი | N-Channel |
| ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
| გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss) | 100 V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 250mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 6.34 nC @ 10 V |
| Vgs (მაქს) | ±20V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | - |
| FET ფუნქცია | - |
| ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-39 |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-205AF Metal Can |
საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს
Მინიმალური: 1
| რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
|---|---|---|
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
||
ტვირთის გაანგარიშება
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება
დამატებულია კალათაში!
ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.