სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | G3R160MT17D |
მწარმოებელი: | GeneSiC Semiconductor |
აღწერა ნაწილი: | SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 |
მონაცემთა ცხრილები: | G3R160MT17D მონაცემთა ცხრილები |
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
ტიპი | აღწერა |
---|---|
სერიები | G3R™ |
პაკეტი | Tube |
ნაწილის სტატუსი | Active |
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | SiCFET (Silicon Carbide) |
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss) | 1700 V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 15V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 12A, 15V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.7V @ 5mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
Vgs (მაქს) | ±15V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1272 pF @ 1000 V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 175W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-247-3 |
პაკეტი / კორპუსი | TO-247-3 |
საფონდო სტატუსი: 580
Მინიმალური: 1
რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
---|---|---|
![]() ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება