სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | RJK2009DPM-00#T0 |
მწარმოებელი: | Renesas Electronics America |
აღწერა ნაწილი: | MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM |
მონაცემთა ცხრილები: | RJK2009DPM-00#T0 მონაცემთა ცხრილები |
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
ტიპი | აღწერა |
---|---|
სერიები | - |
პაკეტი | Tube |
ნაწილის სტატუსი | Active |
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss) | 200 V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | - |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
Vgs (მაქს) | ±30V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 60W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | - |
სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-3PFM |
პაკეტი / კორპუსი | TO-3PFM, SC-93-3 |
საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს
Მინიმალური: 1
რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
---|---|---|
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება