IRLD024PBF

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	IRLD024PBF
მწარმოებელი:	Vishay / Siliconix
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
მონაცემთა ცხრილები:	IRLD024PBF მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Vishay / Siliconix IRLD024PBF ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	-
პაკეტი	Tube
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	60 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	4V, 5V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	2V @ 250µA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	18 nC @ 5 V
Vgs (მაქს)	±10V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	870 pF @ 25 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	1.3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
პაკეტი / კორპუსი	4-DIP (0.300", 7.62mm)

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 7650

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.