SI4712DY-T1-GE3

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	SI4712DY-T1-GE3
მწარმოებელი:	Vishay / Siliconix
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
მონაცემთა ცხრილები:	SI4712DY-T1-GE3 მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	SkyFET®, TrenchFET®
პაკეტი	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
ნაწილის სტატუსი	Obsolete
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	30 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	14.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	4.5V, 10V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	2.5V @ 1mA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (მაქს)	±20V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	1084 pF @ 15 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	8-SO
პაკეტი / კორპუსი	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.