STQ1HNK60R-AP

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	STQ1HNK60R-AP
მწარმოებელი:	STMicroelectronics
აღწერა ნაწილი:	MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
მონაცემთა ცხრილები:	STQ1HNK60R-AP მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	SuperMESH™
პაკეტი	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	600 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	400mA (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	10V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	3.7V @ 250µA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (მაქს)	±30V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	156 pF @ 25 V
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	3W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	TO-92-3
პაკეტი / კორპუსი	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 8558

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics
	STQ1HN60K3-AP STMicroelectronics
	STQ1NK80ZR-AP STMicroelectronics
	STQ1NC45R-AP STMicroelectronics
	STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.