TPS1100DR

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	TPS1100DR
მწარმოებელი:	Rochester Electronics
აღწერა ნაწილი:	MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
მონაცემთა ცხრილები:	TPS1100DR მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Rochester Electronics TPS1100DR ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	-
პაკეტი	Bulk
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	P-Channel
ტექნოლოგია	MOSFET (Metal Oxide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	15 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	1.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	2.7V, 10V
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	1.5V @ 250µA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	5.45 nC @ 10 V
Vgs (მაქს)	+2V, -15V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	-
FET ფუნქცია	-
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	791mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა	-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	8-SOIC
პაკეტი / კორპუსი	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 1064

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	TPS1100D Texas Instruments
	TPS1100PW Texas Instruments
	TPS1101PWR Rochester Electronics
	TPS1100PWR Rochester Electronics
	TPS1101DR Texas Instruments
	TPS1101D Texas Instruments
	TPS1100DR Rochester Electronics

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.