1N8030-GA

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	1N8030-GA
მწარმოებელი:	GeneSiC Semiconductor
აღწერა ნაწილი:	DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
მონაცემთა ცხრილები:	1N8030-GA მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	-
პაკეტი	Tube
ნაწილის სტატუსი	Obsolete
დიოდის ტიპი	Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს)	650 V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io)	750mA
ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ	1.39 V @ 750 mA
სიჩქარე	No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr)	0 ns
მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr	5 µA @ 650 V
მოცულობა @ Vr, F	76pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
პაკეტი / კორპუსი	TO-257-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	TO-257
სამუშაო ტემპერატურა - კვანძი	-55°C ~ 250°C

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.