FF8MR12W2M1B11BOMA1

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
მწარმოებელი:	IR (Infineon Technologies)
აღწერა ნაწილი:	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
მონაცემთა ცხრილები:	FF8MR12W2M1B11BOMA1 მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: IR (Infineon Technologies) FF8MR12W2M1B11BOMA1 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	CoolSiC™+
პაკეტი	Tray
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	2 N-Channel (Dual)
FET ფუნქცია	Silicon Carbide (SiC)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	150A (Tj)
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	5.55V @ 60mA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	372nC @ 15V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	11000pF @ 800V
სიმძლავრე - მაქს	20mW (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Chassis Mount
პაკეტი / კორპუსი	Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	AG-EASY2BM-2

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 45

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	FF8MR12W2M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.