სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | BSM250D17P2E004 |
მწარმოებელი: | ROHM Semiconductor |
აღწერა ნაწილი: | HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF |
მონაცემთა ცხრილები: | BSM250D17P2E004 მონაცემთა ცხრილები |
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
ტიპი | აღწერა |
---|---|
სერიები | - |
პაკეტი | Box |
ნაწილის სტატუსი | Active |
FET ტიპი | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET ფუნქცია | Silicon Carbide (SiC) |
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 250A (Tc) |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | - |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 4V @ 66mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 30000pF @ 10V |
სიმძლავრე - მაქს | 1800W (Tc) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Chassis Mount |
პაკეტი / კორპუსი | Module |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Module |
საფონდო სტატუსი: 1
Მინიმალური: 1
რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
---|---|---|
![]() ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება