KBU8K-E4/51

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	KBU8K-E4/51
მწარმოებელი:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
აღწერა ნაწილი:	BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
მონაცემთა ცხრილები:	KBU8K-E4/51 მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: Vishay General Semiconductor – Diodes Division KBU8K-E4/51 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	-
პაკეტი	Tray
ნაწილის სტატუსი	Active
დიოდის ტიპი	Single Phase
ტექნოლოგია	Standard
ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური)	800 V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io)	8 A
ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ	1 V @ 8 A
მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr	10 µA @ 800 V
ოპერაციული ტემპერატურა	-50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
პაკეტი / კორპუსი	4-ESIP, KBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	KBU

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 8

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	KBU8K-E4/51 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	KBU8B Rochester Electronics
	KBU8M-E4/51 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	KBU8G GeneSiC Semiconductor
	KBU8J-E4/51 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	KBU8M GeneSiC Semiconductor
	KBU8B-E4/51 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	KBU8K Rochester Electronics
	KBU8J GeneSiC Semiconductor
	KBU8A-E4/51 Vishay General Semiconductor – Diodes Division

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.