BSM300C12P3E301

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:	BSM300C12P3E301
მწარმოებელი:	ROHM Semiconductor
აღწერა ნაწილი:	SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
მონაცემთა ცხრილები:	BSM300C12P3E301 მონაცემთა ცხრილები
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი:	ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა:	Საწყობში
გაგზავნა მდებარეობა:	Hong Kong
გადაზიდვის გზა:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

შენიშვნა: ROHM Semiconductor BSM300C12P3E301 ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.

Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.

package

სპეციფიკაცია

ტიპი	აღწერა
სერიები	-
პაკეტი	Bulk
ნაწილის სტატუსი	Active
FET ტიპი	N-Channel
ტექნოლოგია	SiCFET (Silicon Carbide)
გადინების საწყისი ძაბვა (Vdss)	1200 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული)	-
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs	-
Vgs (ე) (მაქს) @ Id	5.6V @ 80mA
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs	-
Vgs (მაქს)	+22V, -4V
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds	1500 pF @ 10 V
FET ფუნქცია	Standard
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს)	1360W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა	-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	-
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი	Module
პაკეტი / კორპუსი	Module

შესყიდვის ვარიანტები

საფონდო სტატუსი: 3

Მინიმალური: 1

რაოდენობა	Ერთეულის ფასი	გაღმ. ფასი
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ

ტვირთის გაანგარიშება

40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.

ჩამოდის 3-5 დღეში

ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება

პოპულარული მოდელები

	BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
	BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.