Comchip Technology / CDBGBSC20650-G
სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად
CDBGBSC20650-G
| მწარმოებლის ნაწილის ნომერი: | CDBGBSC20650-G |
| მწარმოებელი: | Comchip Technology |
| აღწერა ნაწილი: | DIODE DUAL SIC 20A 650V TO-247 |
| მონაცემთა ცხრილები: | CDBGBSC20650-G მონაცემთა ცხრილები |
| ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: | ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი |
| მარაგის მდგომარეობა: | Საწყობში |
| გაგზავნა მდებარეობა: | Hong Kong |
| გადაზიდვის გზა: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- შენიშვნა
- Comchip Technology CDBGBSC20650-G ხელმისაწვდომია chipnets.com-ზე. ჩვენ ვყიდით მხოლოდ ახალ და ორიგინალ ნაწილს და გთავაზობთ 1 წლიან გარანტიას. თუ გსურთ მეტი იცოდეთ პროდუქტების შესახებ ან გამოიყენოთ უკეთესი ფასი, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, დააწკაპუნეთ ონლაინ ჩატზე ან გამოგვიგზავნეთ შეთავაზება.
Eelctronics-ის ყველა კომპონენტი ძალიან უსაფრთხოდ შეიფუთება ESD ანტისტატიკური დაცვით.
სპეციფიკაცია
| ტიპი | აღწერა |
|---|---|
| სერიები | - |
| პაკეტი | Tube |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
| დიოდის კონფიგურაცია | 1 Pair Common Cathode |
| დიოდის ტიპი | Silicon Carbide Schottky |
| ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს) | 650 V |
| მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (იო) (დიოდზე) | 33A (DC) |
| ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ | 1.7 V @ 10 A |
| სიჩქარე | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| უკუ აღდგენის დრო (trr) | 0 ns |
| მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| სამუშაო ტემპერატურა - კვანძი | -55°C ~ 175°C |
| სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| პაკეტი / კორპუსი | TO-247-3 |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | TO-247 |
საფონდო სტატუსი: მიწოდება იმავე დღეს
Მინიმალური: 1
| რაოდენობა | Ერთეულის ფასი | გაღმ. ფასი |
|---|---|---|
ფასი მიუწვდომელია, გთხოვთ RFQ |
||
ტვირთის გაანგარიშება
40 აშშ დოლარი FedEx-ის მიერ.
ჩამოდის 3-5 დღეში
ექსპრეს: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150$-ზე მეტი შეკვეთისთვის პირველ 0.5 კგ-ზე უფასო მიწოდება, ჭარბი წონა ცალკე გადაიხდება
პოპულარული მოდელები
 |
Comchip Technology |
|
Comchip Technology |
|
Comchip Technology |
დამატებულია კალათაში!
ეს საქონელი დამატებულია თქვენს კალათაში.